2010年10月06日
25nm NANDを搭載したINTELのX25-M G3とX25-E 25nmの仕様
25nm NANDを搭載したINTELの新型SSDの仕様です。
・ Intel's 3rd Generation X25-M SSD Specs Revealed - AnandTech
AnandTechに、25nm NANDを搭載したINTELの新型SSD X25-M G3 (Postville Refresh)とX25-E 25nm (Lyndonville)の仕様が紹介されています。搭載されているのはIMFT (Intel-Micron Flash Technologies)の25nm フラッシュメモリです。
インターフェースは現行SSDと同じSATA 3Gbpsのままですが、容量、シーケンシャルライトやランダム4Kのパフォーマンス、寿命が大幅に改善されています。また新製品はともに新たにパワーセーフ ライトキャシュがサポートされています。RealSSD C300(SATA 3Gbps時?)やSandForce SF-1200などとほぼ同等のパフォーマンスとのこと。
●X25-M G3の仕様 [( )内はX25-M G2の仕様]
- インターフェース : SATA 3Gbps (G2と同じ)
- 容量 : 80/160/300/600GB (80/160GB)
- NAND : 25nm MLC (34nm MLC)
- シーケンシャル性能 : 最大 R 250/ W 170MB/s (R 250/ W 100MB/s)
- ランダム4K性能 : 最大 R 50K/W 40K IOPS (R 35K/W 8.6K IOPS)
- 消費電力 : 6.0/0.075W (3.0/0.06W)
- 4KBランダム書込寿命 : 30TB - 60TB (7.5TB - 15TB)
- パワーセーフ ライトキャシュ : あり (なし)
- フォームファクタ : 2.5/1.8インチ (G2と同じ)
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●X25-E 25nmの仕様 [( )内はX25-E 50nmの仕様]
- インターフェース : SATA 3Gbps (50nmと同じ)
- 容量 : 100/200/400GB (32/64GB)
- NAND : 25nm eMLC (50nm SLC)
- シーケンシャル性能 : 最大 R 250/ W 200MB/s (R 250/ W 170MB/s)
- ランダム4K性能 : 最大 R 50K/W 5K IOPS (R 35K/W 3.3K IOPS)
- 消費電力 : 5.0/0.095W (3.0/0.06W)
- 4KBランダム書込寿命 : 400GB時に1.4PB (64GB時に2PB)
- パワーセーフ ライトキャシュ : あり (なし)
- フォームファクタ : 2.5インチ (50nmと同じ)
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X25-M G3は10年Q4から11年Q1の間に、X25-E 25nmは11年Q1に登場するようです。容量、パフォーマンス共に期待できそうですが、あとは価格でしょうか。X25-M G3はG2と同じ80/160GBがラインアップされるので、80GBで1万円台前後を期待したいですね。
関連情報
・ INTELの25nmプロセスNANDを搭載した新型SSDは11年2月に延期
・ FOREMAYがSATA 6Gbpsに対応したEC188 Mシリーズをリリース
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・ RealSSD C400/C400vは2011年Q1に登場予定
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Posted by nueda at 2010年10月06日 03:33 JST | トラックバック | ホームに戻る
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