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INTELが34nmプロセスのNANDフラッシュメモリを採用した新型のSSDを発表

INTELが34nm製造プロセスのNANDフラッシュメモリを採用した第2世代(G2)のSSDを発表しました。

新型の4KBのランダムリードが最大35000IOPS、ランダムライトは80GBモデルが最大6600IOPS、160GBモデルが最大8600IOPSとなっており、従来品の4KBのランダムリード最大35000 IOPS、ランダムライト最大3300IOPSをランダムライトのパフォーマンスで大幅に上回っています。

160GBのランダムライト速度は80GBを上回っているために、パフォーマンスを重視されるときは160GBを選ぶのはありでしょうね。ベンチでもライトについては明らかな差があります。
→ ATTO Disk Benchmark (HotHardware)、CrystalDiskMark v2.2 (Legit Reviews)

また新型の読込レイテンシは65マイクロ秒・書込レイテンシは85マイクロ秒で、こちらも従来品の読込85マイクロ秒・書込115マイクロ秒を大幅に上回っています。

X25-M G2 160GBの内部は16GB フラッシュメモリの採用(従来は8GB)により、基板の裏面からフラッシュメモリがなくなっています。裏面に160GBを搭載することで320GBが登場するかもしれませんね。またキャッシュメモリはG1時は16MB@166MHzだったものが、G2では32MB@133MHzに変更されています。
→ AnandTech

●ベンチマーク
【日本語】
- エルミタージュ秋葉原 (C2D E6600＋P5Q-E)
- ろぐブログ (i7 920＋P6T DELUXE)
- 上田新聞 blog版 (X2 4850e＋HA-06)

【英語レビュー】
- AnandTech
- HotHardware
- Legit Reviews
- PC Perspective

●プレスリリース
- PC Watch
- ITmedia+D
- マイコミジャーナル

●秋葉原発売情報
- 34nm版のIntel製SSDが発売、性能も向上 - AKIBA PC Hotline!
- 人気のインテル製SSDに34nmプロセス版の新モデルが登場 - ASCII.jp
- インテル製SSD「X25-M」の34nm版が発売！ - アキバ総研

●通販情報
- ドスパラ
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- 価格比較