2010年08月19日
INTELとMICRONが1セルに3ビットの記憶が可能なNANDフラッシュを発表
INTELとMICRONが1セルに3ビットの記憶が可能な高密度なNANDフラッシュ・メモリを発表しました。
・ インテルとマイクロン、1セルに3ビットの記憶が可能なNANDフラッシュを発表 - Computerworld.jp
・ IntelとMicron、業界初という25nmプロセス採用の3bit/セル NANDフラッシュ - マイコミジャーナル
今回発表したNANDフラッシュ・メモリは、従来の1メモリ・セルあたり1bit(SLC)や2bit(MLC)の情報ではなく、3bitの情報を記憶する"TLC"(Triple Level Cell)を実現。1つのセルに記憶するビット数を増やすことにより、製造コストの削減と大容量化に貢献することが可能になります。
また25nmプロセスで製造され、製品のダイサイズは131平方ミリメートルで、現在の市場で最小という従来の25nm採用MLC製品と比較した場合、同容量では20%以上の小型化できるとのこと。
ただし、SLCとMLCの関係からもわかるように、ビット数を増やすことにより、NANDフラッシュ・メモリのパフォーマンスとデータの書き換え回数で見た耐久性は低下します。TLCフラッシュ・メモリの用途は不明ですが、デジタル・カメラやポータブル・メディア・プレーヤーで使われるのでしょうか。
現在サンプル出荷中で、年末までに量産とありますから、来年には搭載製品を見ることができそうです。
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TSUKUMO
Posted by nueda at 2010年08月19日 02:02 JST | トラックバック | ホームに戻る
あれ？ MLCは マルチのMだからMLCじゃないのかな
MLCの3ビットという言い方はあるけどTLCってのはどうかなぁ
いままでのMLCは2ビットだけだったんですか ３極４ビットとかいってるのかと思ってました。信頼性が揺らぐのは６ビット暗いかと勝手に思ってました。
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